商品名稱:NVMFS4C03NWFT1G
數(shù)據(jù)手冊:NVMFS4C03NWFT1G.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:5-DFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
NVMFS4C03NWFT1G 是適用于緊湊和高效設(shè)計(jì)的汽車用邏輯電平,30V,159A,1.7mΩ功率MOSFET,采用 5x6mm 扁平引線封裝,具有較高的熱性能。該功率MOSFET可用于增強(qiáng)光學(xué)檢測的可潤濕側(cè)翼選項(xiàng)。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):30 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):31.4A(Ta),143A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):2.1 毫歐 @ 30A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):45.2 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):3071 pF @ 15 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):3.71W(Ta),77W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等級:汽車級
資質(zhì):AEC-Q101
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封裝/外殼:8-PowerTDFN,5 引線
基本產(chǎn)品編號:NVMFS4
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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