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IRF9321TRPBF - 采用 SO-8 封裝的 30V 單 P 溝道 HEXFET 功率 MOSFET

產(chǎn)品屬性

FET 類型 P 溝道  

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）  

漏極至源極電壓 (Vdss) 30 V  

電流 - 連續(xù)漏極 (Id) @ 25°C 15A (Ta)  

驅(qū)動電壓（最大 Rds 導(dǎo)通，最小 Rds 導(dǎo)通）4.5V，10V  

Rds On（最大）@ Id，Vgs 7.2mOhm @ 15A，10V  

Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 50μA  

柵極電荷 (Qg)（最大值）@ Vgs 98 nC @ 10 V  

Vgs（最大值） ±20V  

輸入電容 (Ciss)（最大值）@ Vds 2590 pF @ 25 V  

功率耗散（最大值） 2.5W (Ta)  

工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)  

安裝類型 表面貼裝  

供應(yīng)商器件封裝 8-SO  

封裝/外殼 8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米寬）

優(yōu)點

經(jīng)過優(yōu)化，可從分銷合作伙伴處獲得最廣泛的供應(yīng)

針對 4.5V 柵極驅(qū)動電壓（稱為邏輯電平）進行了優(yōu)化，能夠以 2.5V 柵極驅(qū)動電壓（稱為超級邏輯電平）進行驅(qū)動

降低了高壓側(cè)配置（與 N 溝道器件相比）的設(shè)計復(fù)雜性

與微控制器的接口更簡單（與 N 溝道器件相比）

應(yīng)用

筆記本電腦電池應(yīng)用的充放電開關(guān)

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