商品名稱(chēng):1EDN7512G
數(shù)據(jù)手冊(cè):1EDN7512G.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:WSON-6
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
1EDN7512G EiceDRIVER?柵極驅(qū)動(dòng)器IC采用WSON-6封裝。引腳排列符合事實(shí)上的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。該設(shè)備設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)邏輯和普通電平MOSFET,如OptiMOS?和CoolMOS?,以及GaN HEMT器件。
產(chǎn)品屬性
驅(qū)動(dòng)配置:低端
通道類(lèi)型:?jiǎn)温?/span>
驅(qū)動(dòng)器數(shù):1
柵極類(lèi)型:N 溝道 MOSFET
電壓 - 供電:4.5V ~ 20V
邏輯電壓 - VIL,VIH:-
電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):4A,8A
輸入類(lèi)型:反相,非反相
上升/下降時(shí)間(典型值):6.5ns,4.5ns
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類(lèi)型:表面貼裝型
封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤(pán)
供應(yīng)商器件封裝:PG-WSON-6-1
基本產(chǎn)品編號(hào):1EDN7512
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PG-DSO-20
2000
經(jīng)過(guò)汽車(chē)認(rèn)證的單通道高壓柵極驅(qū)動(dòng)器,專(zhuān)為 IGBT 技術(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿(mǎn)足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…BTS3410G
BTS3410G 是英飛凌推出的智能低側(cè)功率開(kāi)關(guān),采用 HITFET 技術(shù) 和 N溝道垂直功率MOSFET 設(shè)計(jì),適用于 12V DC 電源系統(tǒng)中的電阻性、感性和容性負(fù)載開(kāi)關(guān)控制。BSP613P
BSP613P 是英飛凌 SIPMOS 系列的 P 溝道增強(qiáng)型小信號(hào) MOSFET,采用溝槽(Trench)工藝制造,專(zhuān)為 60 V 中壓、2.9 A 級(jí)別的負(fù)載開(kāi)關(guān)、反向極性保護(hù)及高側(cè)驅(qū)動(dòng)而設(shè)計(jì)。S29GL01GT10FHI010
S29GL01GT10FHI010 是 一款 1Gb(128M 8 位)并行 NOR Flash 存儲(chǔ)器,采用 64-FBGA(1311mm) 封裝。BSC059N04LS6
BSC059N04LS6 采用英飛凌第六代 OptiMOS? 工藝,在 5 mm 6 mm 的 TDSON-8 表面貼裝封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)極低導(dǎo)通電阻與低柵極電荷,專(zhuān)為高效率 DC-DC 降壓、同步整流及電機(jī)驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化。IPLU300N04S4-R8
IPLU300N04S4-R8 基于英飛凌 OptiMOS? 5 技術(shù),專(zhuān)為高電流、高密度汽車(chē)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。電話咨詢(xún):86-755-83294757
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