商品名稱：1EDI60H12AH
數(shù)據(jù)手冊：
1EDI60H12AH.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：DSO-8
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
1EDI60H12AH EiceDRIVER? 1200 V高邊柵極驅(qū)動IC，具有典型的10A拉電流和9.4 A灌電流，采用DSO-8封裝，適用于IGBT。該柵極驅(qū)動器IC可實現(xiàn)系統(tǒng)級高效率，并具有出色的功率密度和始終如一的系統(tǒng)穩(wěn)健性。
產(chǎn)品屬性
技術：磁耦合
通道數(shù)：1
傳播延遲 tpLH / tpHL（最大值）：-
脈寬失真（最大）：-
上升/下降時間（典型值）：10ns，9ns
電流 - 峰值輸出：-
電壓 - 正向 (Vf)（典型值）：-
電壓 - 輸出供電：13V ~ 35V
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：8-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）
供應商器件封裝：PG-DSO-8-59
基本產(chǎn)品編號：1EDI60
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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BTS3410G 是英飛凌推出的智能低側功率開關，采用 HITFET 技術 和 N溝道垂直功率MOSFET 設計，適用于 12V DC 電源系統(tǒng)中的電阻性、感性和容性負載開關控制。
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BSP613P 是英飛凌 SIPMOS 系列的 P 溝道增強型小信號 MOSFET，采用溝槽（Trench）工藝制造，專為 60 V 中壓、2.9 A 級別的負載開關、反向極性保護及高側驅(qū)動而設計。
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S29GL01GT10FHI010 是 一款 1Gb（128M 8 位）并行 NOR Flash 存儲器，采用 64-FBGA（1311mm） 封裝。
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BSC059N04LS6 采用英飛凌第六代 OptiMOS? 工藝，在 5 mm 6 mm 的 TDSON-8 表面貼裝封裝內(nèi)實現(xiàn)極低導通電阻與低柵極電荷，專為高效率 DC-DC 降壓、同步整流及電機驅(qū)動而優(yōu)化。
IPLU300N04S4-R8
IPLU300N04S4-R8 基于英飛凌 OptiMOS? 5 技術，專為高電流、高密度汽車應用而設計。電話咨詢：86-755-83294757
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