商品名稱:2EDS8165H
數(shù)據(jù)手冊(cè):2EDS8165H.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:DSO-16
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
EiceDRIVER? 2EDS8165H是增強(qiáng)隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,適用于 SMPS 強(qiáng)制安全隔離勢(shì)壘次級(jí)側(cè)控制。2EDS8165H 具有 1A/2A 電流,可用于較小 MOSFET 或 PWM 信號(hào)/數(shù)據(jù)去耦,支持采用局部升壓驅(qū)動(dòng)器的極高功率設(shè)計(jì)。該器件符合 UL1577、VDE0884-10、IEC62386 和 IEC60950 安全認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)。
產(chǎn)品屬性
驅(qū)動(dòng)配置:半橋
通道類型:獨(dú)立式
驅(qū)動(dòng)器數(shù):2
柵極類型:N 溝道,P 溝道 MOSFET
電壓 - 供電:20V
邏輯電壓 - VIL,VIH:-,1.65V
電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):1A,2A
輸入類型:非反相
上升/下降時(shí)間(典型值):6.5ns,4.5ns
工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:16-SOIC(0.295",7.50mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-16-30
基本產(chǎn)品編號(hào):2EDS8165
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
TI
SOIC-8
5000
具有 UVLO(以 GND 為基準(zhǔn))或分離輸出的 3kVrms/5kVrms、±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器
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BSP613P 是英飛凌 SIPMOS 系列的 P 溝道增強(qiáng)型小信號(hào) MOSFET,采用溝槽(Trench)工藝制造,專為 60 V 中壓、2.9 A 級(jí)別的負(fù)載開關(guān)、反向極性保護(hù)及高側(cè)驅(qū)動(dòng)而設(shè)計(jì)。S29GL01GT10FHI010
S29GL01GT10FHI010 是 一款 1Gb(128M 8 位)并行 NOR Flash 存儲(chǔ)器,采用 64-FBGA(1311mm) 封裝。BSC059N04LS6
BSC059N04LS6 采用英飛凌第六代 OptiMOS? 工藝,在 5 mm 6 mm 的 TDSON-8 表面貼裝封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)極低導(dǎo)通電阻與低柵極電荷,專為高效率 DC-DC 降壓、同步整流及電機(jī)驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化。IPLU300N04S4-R8
IPLU300N04S4-R8 基于英飛凌 OptiMOS? 5 技術(shù),專為高電流、高密度汽車應(yīng)用而設(shè)計(jì)。電話咨詢:86-755-83294757
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