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ISC025N08NM5LFATMA1 OptiMOS? 5線性FET具有非常低的導通電阻和80V  VDS。該產(chǎn)品組合包括2.55m?低導通電阻RDS(on)。該器件采用TDSON-8FL封裝，工作溫度范圍為-55°C至175°C。該產(chǎn)品適合用于熱插拔、電池保護和電子保險絲。

產(chǎn)品屬性：

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：80 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：23A（Ta）， 198A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：2.55 毫歐 @ 50A， 10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 115μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：96 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：6800 pF @ 40 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3W（Ta）， 217W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PG-TDSON-8 FL

封裝/外殼：8-PowerTDFN

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