商品名稱(chēng):ISZ113N10NM5LFATMA1
數(shù)據(jù)手冊(cè):ISZ113N10NM5LFATMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TSDSON-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
ISZ113N10NM5LFATMA1 OptiMOS? 5線性FET具有非常低的導(dǎo)通電阻和100V VDS。該產(chǎn)品組合包括11.3m?低導(dǎo)通電阻RDS(on)。此器件采用TDSON-8FL或S3O8封裝,工作溫度范圍為-55°C至175°C。
產(chǎn)品屬性:
FET 類(lèi)型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):100 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):10A(Ta),63A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):11.3 毫歐 @ 20A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):3.9V @ 36μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):29 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):2300 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):2.5W(Ta),100W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類(lèi)型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-TSDSON-8 FL
封裝/外殼:8-PowerTDFN
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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