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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

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商品型號:IMW120R040M1HXKSA1

商品名稱:IMW120R040M1HXKSA1

數(shù)據(jù)手冊:IMW120R040M1HXKSA1.pdf

品牌:INFINEON

年份:21+

封裝:TO-247-3

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:240

數(shù)量:
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技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
IMW120R040M1HXKSA1
封裝
TO-247-3
描述
采用TO247-3封裝的1200V 40mΩ CoolSiC?溝槽型碳化硅MOSFET

產(chǎn)品描述

IMW120R040M1HXKSA1 采用TO247-3封裝的1200V 40mΩ  CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先進(jìn)的溝槽工藝,該工藝經(jīng)過優(yōu)化兼具性能與可靠性。與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)的硅(Si)基器件相比,SiC MOSFET具有諸多優(yōu)勢,例如1200 V開關(guān)器件中最低的柵極電荷和器件電容、體二極管沒有反向恢復(fù)損耗、關(guān)斷損耗受溫度影響小以及沒有拐點(diǎn)電壓的導(dǎo)通特性。因此,CoolSiC?碳化硅 MOSFET非常適用于硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),如功率因素校正(PFC)電路、雙向拓?fù)湟约癉C-DC轉(zhuǎn)換器或DC-AC逆變器。


特征描述

出類拔萃的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗

高閾值電壓,Vth > 4 V

0V關(guān)斷柵極電壓,實(shí)現(xiàn)簡單的柵極驅(qū)動

寬柵源電壓范圍

堅(jiān)固的低損耗體二極管,適用于硬開關(guān)

關(guān)斷損耗受溫度影響小

.XT擴(kuò)散焊技術(shù),可實(shí)現(xiàn)一流的熱性能


優(yōu)勢

最高效率

減少冷卻工作

更高頻率的運(yùn)行

增加功率密度

降低系統(tǒng)的復(fù)雜程度


應(yīng)用領(lǐng)域

不間斷電源(UPS)

電池化成

電動汽車快速充電

電機(jī)控制和驅(qū)動

太陽能系統(tǒng)解決方案

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封裝

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描述

IMZ120R060M1H

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IXSH40N120L2KHV

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常見問題

  • 1.平臺上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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INFINEON

INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…

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