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S25FL064LABMFA003是一款采用 65 nm 浮柵工藝的 3.0 V、單電源閃存存儲器器件。

FL-L系列采用雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 讀取命令，用于傳送地址和在時鐘兩邊讀取數(shù)據(jù)的QIO和QPI。該架構(gòu)采用頁面編程緩沖區(qū)，允許在一個操作中編程達256字節(jié)。該架構(gòu)也提供單獨4KB扇區(qū)、32KB半塊、64KB塊或整個芯片擦除。FL-L NOR閃存具有各種移動或嵌入式應(yīng)用所使用的高密度、靈活性和快速性能。

該閃存可為有限空間、信號連接和電源系統(tǒng)提供出色的存儲解決方案。此外，該閃存非常適合用于RAM的代碼遮蔽、直接執(zhí)行代碼 (XIP) 和存儲可重新編程數(shù)據(jù)。

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品種類: NOR閃存

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: SOIC-16

系列: S25FL064L

存儲容量: 64 Mbit

電源電壓-最小: 2.7 V

電源電壓-最大: 3.6 V

有源讀取電流（最大值）: 30 mA

接口類型: QPI, SPI

最大時鐘頻率: 108 MHz

組織: 8 M x 8

數(shù)據(jù)總線寬度: 8 bit

定時類型: Synchronous

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

資格: AEC-Q100

濕度敏感性: Yes

產(chǎn)品類型: NOR Flash

速度: 54 MHz, 108 MHz

工廠包裝數(shù)量:  1450

子類別:Memory & Data Storage

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