商品名稱：IGC99T120T8RQ
數(shù)據(jù)手冊：
IGC99T120T8RQ.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：Die
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
IGC99T120T8RQ 為 25kHz 至 70kHz 頻率提供了開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗之間的最佳折衷。其主要特點是具有類似 MOSFET 的關(guān)斷開關(guān)行為，從而降低了關(guān)斷損耗。
特點
1200V 溝槽和場截止技術(shù)
開關(guān)損耗低
正溫度系數(shù)
易于安裝
應(yīng)用
高頻驅(qū)動器
不間斷電源
焊接
太陽能逆變器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ROHM
TO-247GE
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團的半導(dǎo)體部門，于1999年獨立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要，在這些應(yīng)用中，價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…
BTS3410G
BTS3410G 是英飛凌推出的智能低側(cè)功率開關(guān)，采用 HITFET 技術(shù) 和 N溝道垂直功率MOSFET 設(shè)計，適用于 12V DC 電源系統(tǒng)中的電阻性、感性和容性負載開關(guān)控制。
BSP613P
BSP613P 是英飛凌 SIPMOS 系列的 P 溝道增強型小信號 MOSFET，采用溝槽（Trench）工藝制造，專為 60 V 中壓、2.9 A 級別的負載開關(guān)、反向極性保護及高側(cè)驅(qū)動而設(shè)計。
S29GL01GT10FHI010
S29GL01GT10FHI010 是 一款 1Gb（128M 8 位）并行 NOR Flash 存儲器，采用 64-FBGA（1311mm） 封裝。
BSC059N04LS6
BSC059N04LS6 采用英飛凌第六代 OptiMOS? 工藝，在 5 mm 6 mm 的 TDSON-8 表面貼裝封裝內(nèi)實現(xiàn)極低導(dǎo)通電阻與低柵極電荷，專為高效率 DC-DC 降壓、同步整流及電機驅(qū)動而優(yōu)化。
IPLU300N04S4-R8
IPLU300N04S4-R8 基于英飛凌 OptiMOS? 5 技術(shù)，專為高電流、高密度汽車應(yīng)用而設(shè)計。電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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