商品名稱:S25FL064LABNFA011
數(shù)據(jù)手冊:S25FL064LABNFA011.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:WSON-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
S25FL064LABNFA011是一種采用 65 nm 浮柵工 藝的 3.0 V、單電源閃存存儲器器件。
FL-L系列采用雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 讀取命令,用于傳送地址和在時(shí)鐘兩邊讀取數(shù)據(jù)的QIO和QPI。該架構(gòu)采用頁面編程緩沖區(qū),允許在一個(gè)操作中編程達(dá)256字節(jié)。該架構(gòu)也提供單獨(dú)4KB扇區(qū)、32KB半塊、64KB塊或整個(gè)芯片擦除。FL-L NOR閃存具有各種移動或嵌入式應(yīng)用所使用的高密度、靈活性和快速性能。
該閃存可為有限空間、信號連接和電源系統(tǒng)提供出色的存儲解決方案。此外,該閃存非常適合用于RAM的代碼遮蔽、直接執(zhí)行代碼 (XIP) 和存儲可重新編程數(shù)據(jù)。
產(chǎn)品屬性
存儲器類型: 非易失
存儲器格式: 閃存
技術(shù):FLASH - NOR
存儲容量: 64Mbit
存儲器組織: 8M x 8
存儲器接口: SPI - 四 I/O,QPI
時(shí)鐘頻率: 108 MHz
電壓 - 供電: 2.7V ~ 3.6V
工作溫度: -40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型: 表面貼裝型
封裝/外殼: 8-WFDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝: 8-WSON(5x6)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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BSC059N04LS6 采用英飛凌第六代 OptiMOS? 工藝,在 5 mm 6 mm 的 TDSON-8 表面貼裝封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)極低導(dǎo)通電阻與低柵極電荷,專為高效率 DC-DC 降壓、同步整流及電機(jī)驅(qū)動而優(yōu)化。IPLU300N04S4-R8
IPLU300N04S4-R8 基于英飛凌 OptiMOS? 5 技術(shù),專為高電流、高密度汽車應(yīng)用而設(shè)計(jì)。電話咨詢:86-755-83294757
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