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服務(wù)電話(huà):86-755-83294757
商品名稱(chēng):S25FL064LABNFB040
數(shù)據(jù)手冊(cè):S25FL064LABNFB040.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:WSON-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:18000 件
聯(lián)系人:
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聯(lián)系電話(huà):
S25FL064LABNFB040是一種采用 65 nm 浮柵工 藝的 3.0 V、單電源閃存存儲(chǔ)器器件。
特性
多I/O串行外設(shè)接口 (SPI)
時(shí)鐘極性和相位模式0和3
雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR)選項(xiàng)
四外設(shè)接口(QPI)選項(xiàng)
擴(kuò)展尋址:24位或32位地址選項(xiàng)
與S25FL-A、S25FL1-K、S25FL-P、S25FL-S和S25FS-S SPI系列兼容的串行命令子集和足跡
與S25FL-P、S25FL-S和S25FS-S SPI系列兼容的多I/O命令子集和足跡
讀取
命令:正常、快速、雙I/O、四I/O、雙O、四O、DDR四I/O
模式:突發(fā)回環(huán)、連續(xù)(XIP)、QPI
串行閃存可發(fā)現(xiàn)參數(shù)(SFDP),用于配置信息
程序架構(gòu)
256字節(jié)頁(yè)編程緩沖器3.0V FL-L 閃存
程序暫停和恢復(fù)
擦除架構(gòu)
統(tǒng)一4KB扇區(qū)擦除
統(tǒng)一32KB半塊擦除
統(tǒng)一64KB塊擦除
芯片擦除
擦除暫停和恢復(fù)
100,000次程序擦除周期
數(shù)據(jù)保留20年
典型技術(shù)
65nm浮柵技術(shù)
安全特性
狀態(tài)和配置寄存器保護(hù)
四個(gè)256字節(jié)安全區(qū)域,均位于主閃存陣列外部
傳統(tǒng)塊保護(hù):塊范圍
單個(gè)和區(qū)域保護(hù)
單個(gè)塊鎖定:易失性單個(gè)扇區(qū)/塊
指針區(qū)域:非易失性扇區(qū)/塊范圍
電源鎖定、密碼或永久保護(hù)安全區(qū)域2和3以及指針區(qū)域
單電源電壓,帶CMOS I/O
2.7V至3.6V
溫度范圍
符合汽車(chē)AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)2級(jí)(-40°C至+105°C)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線(xiàn)商品均可在線(xiàn)即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線(xiàn)聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線(xiàn)、總線(xiàn)仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿(mǎn)足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…BTS3410G
BTS3410G 是英飛凌推出的智能低側(cè)功率開(kāi)關(guān),采用 HITFET 技術(shù) 和 N溝道垂直功率MOSFET 設(shè)計(jì),適用于 12V DC 電源系統(tǒng)中的電阻性、感性和容性負(fù)載開(kāi)關(guān)控制。BSP613P
BSP613P 是英飛凌 SIPMOS 系列的 P 溝道增強(qiáng)型小信號(hào) MOSFET,采用溝槽(Trench)工藝制造,專(zhuān)為 60 V 中壓、2.9 A 級(jí)別的負(fù)載開(kāi)關(guān)、反向極性保護(hù)及高側(cè)驅(qū)動(dòng)而設(shè)計(jì)。S29GL01GT10FHI010
S29GL01GT10FHI010 是 一款 1Gb(128M 8 位)并行 NOR Flash 存儲(chǔ)器,采用 64-FBGA(1311mm) 封裝。BSC059N04LS6
BSC059N04LS6 采用英飛凌第六代 OptiMOS? 工藝,在 5 mm 6 mm 的 TDSON-8 表面貼裝封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)極低導(dǎo)通電阻與低柵極電荷,專(zhuān)為高效率 DC-DC 降壓、同步整流及電機(jī)驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化。IPLU300N04S4-R8
IPLU300N04S4-R8 基于英飛凌 OptiMOS? 5 技術(shù),專(zhuān)為高電流、高密度汽車(chē)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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