商品名稱:FUSB303BTMX
數(shù)據(jù)手冊:FUSB303BTMX.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:12-XFQFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
FUSB303BTMX是一款完全自主的 USB Type-C控制器,針對 15 W 或更低功率的應(yīng)用進行了優(yōu)化。為源端口角色、匯入端口角色、DRP 提供 CC 邏輯檢測和附件檢測支持,以及 USB-C 規(guī)范定義的死機電池支持。具有以下特點可配置地址 I2C 訪問,支持每個系統(tǒng)的多個端口或僅通過引腳配置即可自主運行,在運行期間具有超低功耗和超薄的 12 引線 QFN 封裝。
產(chǎn)品屬性
協(xié)議:USB
功能:控制器
接口:GPIO,I2C,USB
標(biāo)準(zhǔn):USB 2.0,USB 3.1
電壓 - 供電:2.85V ~ 5.5V
電流 - 供電:356μA
工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
封裝/外殼:12-XFQFN
供應(yīng)商器件封裝:12-X2QFN(1.6x1.6)
應(yīng)用
● 智能手機
● 平板電腦
● 筆記本電腦
● 配件
● 工業(yè)
● 電源
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
48-LQFP
1000
以太網(wǎng) 開關(guān) 10/100 Base-T/TX PHY I2C,SPI 接口 48-LQFP(7x7)
Microchip
64-VFQFN
1000
以太網(wǎng) 開關(guān) IEEE 802.3,100 Base-T PHY MII,RGMII,RMII,SPI 接口 64-VQFN(8x8)
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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