商品名稱:FUSB251UCX
數(shù)據(jù)手冊:FUSB251UCX.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:15-UFBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
FUSB251UCX是一款 I2C 控制開關(guān),在 Type-C 接口端口的 CC 和 SBU 引腳上具有過壓保護功能。該器件CC1/2 和 SBU1/2 上有 SPST 開關(guān),可在有效 VDD 時自動啟用。因此,Type-C/PD 控制器可以使用過壓保護的 CC 通路。具有死電模式,CC 用 Rd 拉低。在該模式下,源器件可為電池充電提供 Vbus。另一項功能是在 CC 和 SBU 通路上進行濕度檢測。
產(chǎn)品屬性
協(xié)議:USB
功能:控制器
接口:I2C
電壓 - 供電:2.7V ~ 5.5V
電流 - 供電:15μA
工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
封裝/外殼:15-UFBGA,WLCSP
供應商器件封裝:15-WLCSP(1.49x2.06)
應用
● 智能手機
● 平板電腦、上網(wǎng)本、超移動 PC
● 游戲設備和電子書
● 帶鋰離子電池的便攜式設備
● 汽車點煙器插孔
● 外置 USB 存儲器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
48-LQFP
1000
以太網(wǎng) 開關(guān) 10/100 Base-T/TX PHY I2C,SPI 接口 48-LQFP(7x7)
Microchip
64-VFQFN
1000
以太網(wǎng) 開關(guān) IEEE 802.3,100 Base-T PHY MII,RGMII,RMII,SPI 接口 64-VQFN(8x8)
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關(guān)和任何需要標準柵極驅(qū)動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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