商品名稱：AIGBE40N65F5
數(shù)據(jù)手冊(cè)：
AIGBE40N65F5.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：D2PAK
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
AIGBE40N65F5 650V IGBT晶體管采用F5優(yōu)化的TrenchStop?5汽車技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)車載充電器、PFC、DC/DC和DC/AC等汽車應(yīng)用的最高效率快速切換。TrenchStop?5 Auto是一種IGBT技術(shù)，可在同類產(chǎn)品中實(shí)現(xiàn)世界最低的開關(guān)和導(dǎo)通損耗。
功能摘要
低VCEsat的TrenchStop?5技術(shù)，優(yōu)化為F5變體（最高效率變體），以實(shí)現(xiàn)盡可能高的開關(guān)速度
650V擊穿電壓，40A標(biāo)稱電流
開關(guān)速度極快（高達(dá)150kHz）
符合英飛凌質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的汽車認(rèn)證
最大結(jié)溫175°C
最高效率
極低的傳導(dǎo)損耗
極低的開關(guān)損耗
極低的結(jié)溫和外殼溫度
采用7引腳SMD D2PAK封裝，裝配成本更低，功率密度更高，爬電距離更優(yōu)
非常堅(jiān)固
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ROHM
TO-247GE
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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BTS3410G
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BSP613P
BSP613P 是英飛凌 SIPMOS 系列的 P 溝道增強(qiáng)型小信號(hào) MOSFET，采用溝槽（Trench）工藝制造，專為 60 V 中壓、2.9 A 級(jí)別的負(fù)載開關(guān)、反向極性保護(hù)及高側(cè)驅(qū)動(dòng)而設(shè)計(jì)。
S29GL01GT10FHI010
S29GL01GT10FHI010 是 一款 1Gb（128M 8 位）并行 NOR Flash 存儲(chǔ)器，采用 64-FBGA（1311mm） 封裝。
BSC059N04LS6
BSC059N04LS6 采用英飛凌第六代 OptiMOS? 工藝，在 5 mm 6 mm 的 TDSON-8 表面貼裝封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)極低導(dǎo)通電阻與低柵極電荷，專為高效率 DC-DC 降壓、同步整流及電機(jī)驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化。
IPLU300N04S4-R8
IPLU300N04S4-R8 基于英飛凌 OptiMOS? 5 技術(shù)，專為高電流、高密度汽車應(yīng)用而設(shè)計(jì)。電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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