商品名稱:BSZ024N04LS6
數(shù)據(jù)手冊(cè):BSZ024N04LS6.jpg
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:8-PowerTDFN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
BSZ024N04LS6 是 40V OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管,具有同類最佳的 RDS(on)和卓越的開(kāi)關(guān)性能。
主要特性
與其他產(chǎn)品相比
RDS(on) 降低 30
FOM Qg x RDS(on) 提高了 29
FOM Qgd x RDS(on) 提高 46
針對(duì)同步整流進(jìn)行了優(yōu)化
適合 ORing 電路
符合 RoHS 規(guī)范 - 無(wú)鹵素
符合 MSL1 標(biāo)準(zhǔn)
主要優(yōu)點(diǎn)
最高系統(tǒng)效率
并聯(lián)需求更少
功率密度更高
極低的電壓過(guò)沖
減少對(duì)緩沖電路的需求
降低系統(tǒng)成本
目標(biāo)應(yīng)用
SMPS
服務(wù)器
電信
充電器
驅(qū)動(dòng)器
多旋翼飛行器
無(wú)線充電
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車(chē)級(jí)N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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S29GL01GT10FHI010 是 一款 1Gb(128M 8 位)并行 NOR Flash 存儲(chǔ)器,采用 64-FBGA(1311mm) 封裝。BSC059N04LS6
BSC059N04LS6 采用英飛凌第六代 OptiMOS? 工藝,在 5 mm 6 mm 的 TDSON-8 表面貼裝封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)極低導(dǎo)通電阻與低柵極電荷,專為高效率 DC-DC 降壓、同步整流及電機(jī)驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化。IPLU300N04S4-R8
IPLU300N04S4-R8 基于英飛凌 OptiMOS? 5 技術(shù),專為高電流、高密度汽車(chē)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。電話咨詢:86-755-83294757
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