商品名稱：IRL80HS120
數(shù)據(jù)手冊：
IRL80HS120.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：6-PQFN
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
IRL80HS120 是適用于低 VGS 的新型邏輯級 MOSFET 晶體管。它非常適合無線充電、電信和適配器應(yīng)用。PQFN 2x2 封裝特別適合高速開關(guān)和外形尺寸要求嚴(yán)格的應(yīng)用。
產(chǎn)品特性
最低 FOM（R DS(on) x Q g/gd）
優(yōu)化的 Q g、C oss 和 Q rr，可實現(xiàn)快速開關(guān)
邏輯電平兼容性
微型 PQFN 2x2mm 封裝
優(yōu)勢
封裝占用空間最小
更高的功率密度設(shè)計
開關(guān)頻率更高
只要有 5V 電源，就能減少零件數(shù)量
直接由微控制器驅(qū)動（開關(guān)速度慢）
降低系統(tǒng)成本
目標(biāo)應(yīng)用
無線充電
電信
適配器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封裝
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BTS3410G
BTS3410G 是英飛凌推出的智能低側(cè)功率開關(guān)，采用 HITFET 技術(shù) 和 N溝道垂直功率MOSFET 設(shè)計，適用于 12V DC 電源系統(tǒng)中的電阻性、感性和容性負(fù)載開關(guān)控制。
BSP613P
BSP613P 是英飛凌 SIPMOS 系列的 P 溝道增強(qiáng)型小信號 MOSFET，采用溝槽（Trench）工藝制造，專為 60 V 中壓、2.9 A 級別的負(fù)載開關(guān)、反向極性保護(hù)及高側(cè)驅(qū)動而設(shè)計。
S29GL01GT10FHI010
S29GL01GT10FHI010 是 一款 1Gb（128M 8 位）并行 NOR Flash 存儲器，采用 64-FBGA（1311mm） 封裝。
BSC059N04LS6
BSC059N04LS6 采用英飛凌第六代 OptiMOS? 工藝，在 5 mm 6 mm 的 TDSON-8 表面貼裝封裝內(nèi)實現(xiàn)極低導(dǎo)通電阻與低柵極電荷，專為高效率 DC-DC 降壓、同步整流及電機(jī)驅(qū)動而優(yōu)化。
IPLU300N04S4-R8
IPLU300N04S4-R8 基于英飛凌 OptiMOS? 5 技術(shù)，專為高電流、高密度汽車應(yīng)用而設(shè)計。電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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