商品名稱:IPT009N06NM5
數(shù)據(jù)手冊(cè):IPT009N06NM5.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-HSOF-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
IPT009N06NM5是一款采用Toll封裝的60V OptiMOS?5 N溝道功率MOSFET。Infineon的TO無引腳封裝針對(duì)叉車、輕型電動(dòng)汽車(LEV)、負(fù)載點(diǎn)(POL)和電信等高電流應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。該封裝是高功率應(yīng)用的完美解決方案,這些應(yīng)用需要最高的效率、出色的EMI性能以及最佳的熱性能和空間縮減。
規(guī)格
產(chǎn)品種類: MOSFET
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PG-HSOF-8
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 427 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 1.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.8 V
Qg-柵極電荷 56 nC
最小工作溫度: - 55°C
最大工作溫度: + 175°C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標(biāo): Infineon Technologies
下降時(shí)間: 31 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 27 ns
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 63 ns
典型接通延遲時(shí)間: 20 ns
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級(jí)N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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BSP613P 是英飛凌 SIPMOS 系列的 P 溝道增強(qiáng)型小信號(hào) MOSFET,采用溝槽(Trench)工藝制造,專為 60 V 中壓、2.9 A 級(jí)別的負(fù)載開關(guān)、反向極性保護(hù)及高側(cè)驅(qū)動(dòng)而設(shè)計(jì)。S29GL01GT10FHI010
S29GL01GT10FHI010 是 一款 1Gb(128M 8 位)并行 NOR Flash 存儲(chǔ)器,采用 64-FBGA(1311mm) 封裝。BSC059N04LS6
BSC059N04LS6 采用英飛凌第六代 OptiMOS? 工藝,在 5 mm 6 mm 的 TDSON-8 表面貼裝封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)極低導(dǎo)通電阻與低柵極電荷,專為高效率 DC-DC 降壓、同步整流及電機(jī)驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化。IPLU300N04S4-R8
IPLU300N04S4-R8 基于英飛凌 OptiMOS? 5 技術(shù),專為高電流、高密度汽車應(yīng)用而設(shè)計(jì)。電話咨詢:86-755-83294757
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