商品名稱:IQE008N03LM5CG
數(shù)據(jù)手冊:IQE008N03LM5CG.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:8-PowerTDFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
IQE008N03LM5CG 是 OptiMOS? N 溝道功率晶體管 8-PowerTDFN 表面貼裝型。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 溝道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏極至源極電壓 (Vdss):30 V
電流 - 25°C 時(shí)的連續(xù)漏極 (Id):27A (Ta),253A (Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds 導(dǎo)通,最小 Rds 導(dǎo)通):4.5V,10V
Rds On(最大)@ Id,Vgs:0.85mOhm @ 20A,10V
柵極電荷(Qg)(最大值)@ Id:2V @ 250μA
柵極電荷 (Qg)(最大值)@ Vgs:64 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±16V
輸入電容 (Ciss)(最大值)@ Vds:5700 pF @ 15 V
功率耗散(最大值):2.1W (Ta),89W (Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
特點(diǎn)
專為高性能 SMPS(如同步.再現(xiàn))而優(yōu)化
極低的導(dǎo)通電阻 Ros(on) @ Vcs=4.5 V
100% 通過雪崩測試
出色的熱阻
N 溝道
無鉛引線電鍍;符合 RoHS 規(guī)范
無鹵素,符合 IEC61249-2-21 標(biāo)準(zhǔn)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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S29GL01GT10FHI010 是 一款 1Gb(128M 8 位)并行 NOR Flash 存儲(chǔ)器,采用 64-FBGA(1311mm) 封裝。BSC059N04LS6
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IPLU300N04S4-R8 基于英飛凌 OptiMOS? 5 技術(shù),專為高電流、高密度汽車應(yīng)用而設(shè)計(jì)。電話咨詢:86-755-83294757
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