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商品名稱(chēng):IQE008N03LM5
數(shù)據(jù)手冊(cè):IQE008N03LM5.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:8-PowerTDFN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
IQE008N03LM5 是 OptiMOS? N 溝道功率晶體管 8-PowerTDFN 表面貼裝型。
產(chǎn)品屬性
FET 類(lèi)型:N 溝道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏極至源極電壓 (Vdss):30 V
電流 - 25°C 時(shí)的連續(xù)漏極 (Id):27A (Ta),253A (Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds 導(dǎo)通,最小 Rds 導(dǎo)通):4.5V,10V
Rds On(最大)@ Id,Vgs:0.85mOhm @ 20A,10V
柵極電荷(Qg)(最大值)@ Id:2V @ 250μA
柵極電荷 (Qg)(最大值)@ Vgs:64 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±16V
輸入電容 (Ciss)(最大值)@ Vds:5700 pF @ 15 V
功率耗散(最大值):2.1W (Ta),89W (Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
特點(diǎn)
專(zhuān)為高性能 SMPS(如同步.再現(xiàn))而優(yōu)化
極低的導(dǎo)通電阻 Ros(on) @ Vcs=4.5 V
100% 通過(guò)雪崩測(cè)試
出色的熱阻
N 溝道
無(wú)鉛引線(xiàn)電鍍;符合 RoHS 規(guī)范
無(wú)鹵素,符合 IEC61249-2-21 標(biāo)準(zhǔn)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線(xiàn)、總線(xiàn)仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿(mǎn)足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…TLE42744DV50
OPTIREG? 線(xiàn)性 TLE42744DV50 是一款單片集成低壓差電壓調(diào)節(jié)器,適用于最大負(fù)載電流為 400 mA 的應(yīng)用。TLE42754G
TLE42754G 是一款采用 5 引腳 TO 封裝的單片集成低壓差穩(wěn)壓器,專(zhuān)為汽車(chē)應(yīng)用設(shè)計(jì)。BTS3410G
BTS3410G 是英飛凌推出的智能低側(cè)功率開(kāi)關(guān),采用 HITFET 技術(shù) 和 N溝道垂直功率MOSFET 設(shè)計(jì),適用于 12V DC 電源系統(tǒng)中的電阻性、感性和容性負(fù)載開(kāi)關(guān)控制。BSP613P
BSP613P 是英飛凌 SIPMOS 系列的 P 溝道增強(qiáng)型小信號(hào) MOSFET,采用溝槽(Trench)工藝制造,專(zhuān)為 60 V 中壓、2.9 A 級(jí)別的負(fù)載開(kāi)關(guān)、反向極性保護(hù)及高側(cè)驅(qū)動(dòng)而設(shè)計(jì)。S29GL01GT10FHI010
S29GL01GT10FHI010 是 一款 1Gb(128M 8 位)并行 NOR Flash 存儲(chǔ)器,采用 64-FBGA(1311mm) 封裝。電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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