商品名稱:IPT65R190CFD7
數(shù)據(jù)手冊(cè):IPT65R190CFD7.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:8-PowerSFN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
IPT65R190CFD7功率MOSFET采用創(chuàng)新型無(wú)引線SMD TO (TOLL) 封裝(采用開(kāi)爾文源極概念)。G7 MOSFET將經(jīng)過(guò)改進(jìn)的600V和650V CoolMOS? G7技術(shù)、4引腳開(kāi)爾文源極功能以及無(wú)引線TO封裝的更高熱性能相結(jié)合。因此,該SMD解決方案適合用于大電流硬開(kāi)關(guān)拓?fù)?,如高達(dá)3kW的功率因數(shù)校正 (PFC)。600V CoolMOS? G7 MOSFET可用于高端LLC等諧振電路。
特性
● 同類(lèi)最佳FOM RDS(on) x Eoss和RDS(on)x QG
● 同類(lèi)最佳RDS(on),占位極小
● 內(nèi)置4引腳開(kāi)爾文源極配置和低寄生源極電感 (~1nH)
● 達(dá)到MSL1級(jí)、完全不含鉛、設(shè)有便于目視檢查的槽紋引線
● 改善了熱性能
● 通過(guò)開(kāi)爾文源極降低了寄生源極電感,從而提高了開(kāi)關(guān)效率和易用性
● TOLL封裝簡(jiǎn)便易用,具有最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用
● 電信
● 服務(wù)器
● 太陽(yáng)能
● 工業(yè)SMPS
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…BTS3410G
BTS3410G 是英飛凌推出的智能低側(cè)功率開(kāi)關(guān),采用 HITFET 技術(shù) 和 N溝道垂直功率MOSFET 設(shè)計(jì),適用于 12V DC 電源系統(tǒng)中的電阻性、感性和容性負(fù)載開(kāi)關(guān)控制。BSP613P
BSP613P 是英飛凌 SIPMOS 系列的 P 溝道增強(qiáng)型小信號(hào) MOSFET,采用溝槽(Trench)工藝制造,專(zhuān)為 60 V 中壓、2.9 A 級(jí)別的負(fù)載開(kāi)關(guān)、反向極性保護(hù)及高側(cè)驅(qū)動(dòng)而設(shè)計(jì)。S29GL01GT10FHI010
S29GL01GT10FHI010 是 一款 1Gb(128M 8 位)并行 NOR Flash 存儲(chǔ)器,采用 64-FBGA(1311mm) 封裝。BSC059N04LS6
BSC059N04LS6 采用英飛凌第六代 OptiMOS? 工藝,在 5 mm 6 mm 的 TDSON-8 表面貼裝封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)極低導(dǎo)通電阻與低柵極電荷,專(zhuān)為高效率 DC-DC 降壓、同步整流及電機(jī)驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化。IPLU300N04S4-R8
IPLU300N04S4-R8 基于英飛凌 OptiMOS? 5 技術(shù),專(zhuān)為高電流、高密度汽車(chē)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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