商品名稱:IPT60R105CFD7
數(shù)據(jù)手冊(cè):IPT60R105CFD7.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-HSOF-8-1
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
IPT60R105CFD7 MOSFET非常適合用于諧振大功率拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),采用高壓超級(jí)結(jié)MOSFET技術(shù)。這些MOSFET內(nèi)置快速體二極管,完善了CoolMOS 7系列。典型的大功率SMPS應(yīng)用包括服務(wù)器、電信和電動(dòng)汽車充電站。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):600 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):24A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):105 毫歐 @ 7.8A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4.5V @ 390μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):36 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1503 pF @ 400 V
功率耗散(最大值):140W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-HSOF-8-1
封裝/外殼:8-PowerSFN
應(yīng)用
● 服務(wù)器
● 電信
● EV充電
● SMPS
● PC電源
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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BSP613P 是英飛凌 SIPMOS 系列的 P 溝道增強(qiáng)型小信號(hào) MOSFET,采用溝槽(Trench)工藝制造,專為 60 V 中壓、2.9 A 級(jí)別的負(fù)載開(kāi)關(guān)、反向極性保護(hù)及高側(cè)驅(qū)動(dòng)而設(shè)計(jì)。S29GL01GT10FHI010
S29GL01GT10FHI010 是 一款 1Gb(128M 8 位)并行 NOR Flash 存儲(chǔ)器,采用 64-FBGA(1311mm) 封裝。BSC059N04LS6
BSC059N04LS6 采用英飛凌第六代 OptiMOS? 工藝,在 5 mm 6 mm 的 TDSON-8 表面貼裝封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)極低導(dǎo)通電阻與低柵極電荷,專為高效率 DC-DC 降壓、同步整流及電機(jī)驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化。IPLU300N04S4-R8
IPLU300N04S4-R8 基于英飛凌 OptiMOS? 5 技術(shù),專為高電流、高密度汽車應(yīng)用而設(shè)計(jì)。電話咨詢:86-755-83294757
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