商品名稱:ISK036N03LM5
數(shù)據(jù)手冊(cè):ISK036N03LM5.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:6-PowerVDFN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
ISK036N03LM5 是采用 PQFN 2x2 封裝的 30V、3.6 mΩ、OptiMOS? 5 功率 MOSFET 最小型晶體管。
功能概述
采用 PQFN 2x2 封裝的同類最佳新產(chǎn)品
PQFN 2x2 封裝具有出色的熱阻
針對(duì)最高性能和功率密度進(jìn)行了優(yōu)化
在最小的 PQFN 2x2 封裝中實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最低的 RDS(on)
N 溝道
100% 雪崩測(cè)試
無(wú)鉛電鍍;符合 RoHS 規(guī)范
優(yōu)勢(shì)
優(yōu)化低電壓過(guò)沖
降低系統(tǒng)成本
顯著節(jié)省空間
封裝最小,PCB 布局布線靈活性最高
易于設(shè)計(jì)小尺寸產(chǎn)品
潛在應(yīng)用
無(wú)線充電
充電器
機(jī)器人和無(wú)人機(jī)
工業(yè) SMPS
服務(wù)器
電信
消費(fèi)類
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…BTS3410G
BTS3410G 是英飛凌推出的智能低側(cè)功率開(kāi)關(guān),采用 HITFET 技術(shù) 和 N溝道垂直功率MOSFET 設(shè)計(jì),適用于 12V DC 電源系統(tǒng)中的電阻性、感性和容性負(fù)載開(kāi)關(guān)控制。BSP613P
BSP613P 是英飛凌 SIPMOS 系列的 P 溝道增強(qiáng)型小信號(hào) MOSFET,采用溝槽(Trench)工藝制造,專為 60 V 中壓、2.9 A 級(jí)別的負(fù)載開(kāi)關(guān)、反向極性保護(hù)及高側(cè)驅(qū)動(dòng)而設(shè)計(jì)。S29GL01GT10FHI010
S29GL01GT10FHI010 是 一款 1Gb(128M 8 位)并行 NOR Flash 存儲(chǔ)器,采用 64-FBGA(1311mm) 封裝。BSC059N04LS6
BSC059N04LS6 采用英飛凌第六代 OptiMOS? 工藝,在 5 mm 6 mm 的 TDSON-8 表面貼裝封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)極低導(dǎo)通電阻與低柵極電荷,專為高效率 DC-DC 降壓、同步整流及電機(jī)驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化。IPLU300N04S4-R8
IPLU300N04S4-R8 基于英飛凌 OptiMOS? 5 技術(shù),專為高電流、高密度汽車(chē)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。電話咨詢:86-755-83294757
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