商品名稱:IPT60R065S7
數(shù)據(jù)手冊(cè):IPT60R065S7.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-HSOF-8-2
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
IPT60R065S7功率MOSFET可為低頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用提供最佳性價(jià)比。CoolMOS S7具有最低HV SJ MOSFET RDS(on) 值,能效顯著提高。CoolMOS S7優(yōu)化用于”靜態(tài)開(kāi)關(guān)”和大電流應(yīng)用。它非常適合用于固態(tài)繼電器、斷路器設(shè)計(jì)以及SMPS和逆變器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的線路整流。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):600 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):8A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):12V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):65 毫歐 @ 8A,12V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4.5V @ 490μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):51 nC @ 12 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1932 pF @ 300 V
功率耗散(最大值):167W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-HSOF-8-2
封裝/外殼:8-PowerSFN
應(yīng)用
● 固態(tài)繼電器和斷路器
● 大功率/高性能應(yīng)用(計(jì)算、電信、UPS和太陽(yáng)能)中的線路整流
● 二極管橋接并聯(lián)/替換,用于大功率/高性能應(yīng)用(計(jì)算、電信、UPS和太陽(yáng)能)中的線路整流
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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S29GL01GT10FHI010 是 一款 1Gb(128M 8 位)并行 NOR Flash 存儲(chǔ)器,采用 64-FBGA(1311mm) 封裝。電話咨詢:86-755-83294757
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