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服務(wù)電話(huà):86-755-83294757
商品名稱(chēng):IPTC063N15NM5
數(shù)據(jù)手冊(cè):IPTC063N15NM5.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-HDSOP-16-2
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
IPTC063N15NM5 是 OptiMOS? 5 N 溝道 150 V 表面貼裝功率晶體管。
產(chǎn)品屬性
FET 類(lèi)型:N 溝道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏極至源極電壓 (Vdss):150 V
電流 - 25°C 時(shí)的連續(xù)漏極 (Id):16.2A (Ta),122A (Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):8V,10V
Rds On(最大)@ Id,Vgs:6.3mOhm @ 50A,10V
柵極電荷(Qg)(最大值)@ Id:4.6V @ 163μA
柵極電荷 (Qg)(最大值)@ Vgs:63 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
輸入電容 (Ciss)(最大值)@ Vds:4800 pF @ 75 V
功率耗散(最大值):3.8W (Ta),214W (Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
特性
N 溝道、正常電平
極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on)
卓越的熱阻
100% 通過(guò)雪崩測(cè)試
無(wú)鉛電鍍;符合 RoHS 規(guī)范
無(wú)鹵素,符合 IEC61249-2-21 標(biāo)準(zhǔn)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線(xiàn)、總線(xiàn)仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿(mǎn)足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…TLE42744DV50
OPTIREG? 線(xiàn)性 TLE42744DV50 是一款單片集成低壓差電壓調(diào)節(jié)器,適用于最大負(fù)載電流為 400 mA 的應(yīng)用。TLE42754G
TLE42754G 是一款采用 5 引腳 TO 封裝的單片集成低壓差穩(wěn)壓器,專(zhuān)為汽車(chē)應(yīng)用設(shè)計(jì)。BTS3410G
BTS3410G 是英飛凌推出的智能低側(cè)功率開(kāi)關(guān),采用 HITFET 技術(shù) 和 N溝道垂直功率MOSFET 設(shè)計(jì),適用于 12V DC 電源系統(tǒng)中的電阻性、感性和容性負(fù)載開(kāi)關(guān)控制。BSP613P
BSP613P 是英飛凌 SIPMOS 系列的 P 溝道增強(qiáng)型小信號(hào) MOSFET,采用溝槽(Trench)工藝制造,專(zhuān)為 60 V 中壓、2.9 A 級(jí)別的負(fù)載開(kāi)關(guān)、反向極性保護(hù)及高側(cè)驅(qū)動(dòng)而設(shè)計(jì)。S29GL01GT10FHI010
S29GL01GT10FHI010 是 一款 1Gb(128M 8 位)并行 NOR Flash 存儲(chǔ)器,采用 64-FBGA(1311mm) 封裝。電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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