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IMW120R030M1H是采用TO247-3封裝的1200 V、30 mΩ CoolSiC?  SiC MOSFET，它基于先進的溝槽半導體工藝，該工藝經過優(yōu)化，兼具性能與可靠性。與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)硅（Si）基開關相比，SiC MOSFET具有諸多優(yōu)勢，例如1200V級開關中最低的柵極電荷和器件電容電平、抗換向體二極管無反向恢復損耗、 獨立于溫度的低開關損耗以及無閾值導通特性。因此，CoolSiC? MOSFET非常適用于硬開關和諧振開關拓撲結構，如功率因素校正（PFC）電路、雙向拓撲以及DC-DC轉換器或DC-AC逆變器。

屬性

系列： CoolSiC?  

包裝： 管件  

FET 類型： N 通道  

技術： SiCFET（碳化硅）  

漏源電壓（Vdss）： 1200 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：56A（Tc）  

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V，18V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 40 毫歐 @ 25A，18V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 5.7V @ 10mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 63 nC @ 18 V  

Vgs（最大值）： +23V，-7V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 2120 pF @ 800 V  

FET 功能： -  

功率耗散（最大值）： 227W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型： 通孔  

供應商器件封裝： PG-TO247-3-41  

封裝/外殼： TO-247-3

應用領域

不間斷電源（UPS）

電動汽車快速充電

太陽能系統(tǒng)解決方案

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