商品名稱:PSMNR55-40SSHJ
數(shù)據(jù)手冊:PSMNR55-40SSHJ.pdf
品牌:Nexperia
年份:23+
封裝:LFPAK88
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
PSMNR55-40SSHJ 500 安培連續(xù)電流、標(biāo)準(zhǔn)級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)、N 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET,采用 LFPAK88 封裝。NextPowerS3 系列采用 Nexperia 獨(dú)特的 "SchottkyPlus "技術(shù),具有高能效和低尖峰性能,這些性能通常與集成了肖特基二極管或肖特基類二極管的 MOSFET 有關(guān),但不會(huì)產(chǎn)生高漏電流問題。NextPowerS3 特別適用于高開關(guān)頻率下的高能效應(yīng)用,以及高負(fù)載電流下安全可靠的開關(guān)。
特點(diǎn)和優(yōu)勢
500 安培連續(xù)電流能力
LFPAK88(8 x 8 毫米)LFPAK 式低應(yīng)力裸露引線框架,具有極高的可靠性、最佳的焊接效果和易于焊點(diǎn)檢查的特點(diǎn)
銅夾和焊模連接實(shí)現(xiàn)了低封裝電感和電阻以及高負(fù)載(最大)額定值
是 D2PAK 和 10 x 12 mm 無引線封裝類型的理想替代品
耐溫高達(dá) 175 °C
符合 UL 2595 爬電和間隙要求
雪崩額定值,100 % 經(jīng)過測試
低 QG、QGD 和 Qoss,實(shí)現(xiàn)高效率,尤其是在開關(guān)頻率較高時(shí)
具有軟體二極管恢復(fù)功能的超快開關(guān),可降低尖峰和振鈴,建議用于低 EMI 設(shè)計(jì)
獨(dú)特的 "SchottkyPlus "技術(shù)可實(shí)現(xiàn)類似 Scohotly 的開關(guān)性能和低損耗泄漏
窄額定 VGs(th),便于并聯(lián)和改進(jìn)電流分擔(dān)
極強(qiáng)的線性模式 1 安全工作區(qū)特性,可在大電流條件下安全可靠地進(jìn)行開關(guān)操作
應(yīng)用
無刷直流電機(jī)控制
大功率交流-直流應(yīng)用中的同步整流器,如服務(wù)器電源
電池保護(hù)和電池管理系統(tǒng) (BMS)
電子保險(xiǎn)絲和負(fù)載開關(guān)
熱插拔 1 同軸電流管理
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安世半導(dǎo)體(中國)有限公司 Nexperia是全球領(lǐng)先的分立式器件、邏輯器件與MOSFET器件的專業(yè)制造商。公司于2017年初獨(dú)立。Nexperia極為重視效率,生產(chǎn)大批量性能可靠穩(wěn)定的半導(dǎo)體元件,每年生產(chǎn)1,000多億件性能可靠穩(wěn)定的半導(dǎo)體元件。公司擁有豐富的產(chǎn)品組合,能夠滿足汽車…
NGW75T65H3DFQ
NGW75T65H3DFQ是一款魯棒的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),采用第三代技術(shù)。它結(jié)合了載流子存儲(chǔ)的溝槽柵和場截止(FS)結(jié)構(gòu)。NGW75T65H3DFQ的額定溫度為175C,具有優(yōu)化的IGBT關(guān)斷損耗。其功能和技術(shù)規(guī)格如下:功能集電極電流 (IC) 額定值高達(dá)75A低導(dǎo)通和開關(guān)損耗穩(wěn)定且緊密的參數(shù)…PSC2065JJ
PSC2065JJ SiC 肖特基二極管用于超高性能、低損耗、高效率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該 SiC 肖特基二極管封裝在 TO-263-2 通孔功率塑料封裝中,具有不受溫度影響的電容關(guān)斷、零恢復(fù)開關(guān)特性以及出色的性能。PSC2065JJ 的特點(diǎn)零正向和反向恢復(fù)降低系統(tǒng)成本與溫度無關(guān)的快速平穩(wěn)開關(guān)…PSC2065LQ
PSC2065LQ SiC 肖特基二極管用于超高性能、低損耗、高效率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該 SiC 肖特基二極管封裝在 TO-247-2 通孔功率塑料封裝中,具有不受溫度影響的電容關(guān)斷、零恢復(fù)開關(guān)特性以及出色的性能。PSC2065LQ 的特點(diǎn)零正向和反向恢復(fù)降低系統(tǒng)成本與溫度無關(guān)的快速平穩(wěn)開關(guān)…GAN039-650NTBZ
GAN039-650NTBZ是一款650V、33 mΩ氮化鎵(GaN) FET,采用CCPAK1212i倒裝封裝,具有低電感、低開關(guān)損耗和高可靠性。GAN039-650NTBZ的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):58.5A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,…GAN039-650NBBHP
GAN039-650NBBHP是一款650 V、33mΩ氮化鎵(GaN) FET,采用CCPAK1212封裝。該器件采用無引線接合,可優(yōu)化散熱和電氣性能,提供共源共柵配置,無需復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)器和控制。GAN039-650NBBHP的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電…GANB4R8-040CBAZ
GANB4R8-040CBAZ雙向GaN FET是一款40V、4.8mΩ 雙向氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT)。GANB4R8-040CBA是一款常閉emode FET,具有出色的性能。特性:增強(qiáng)模式-常關(guān)電源開關(guān)雙向器件超高開關(guān)速度能力超低導(dǎo)通電阻符合RoHS指令,無鉛,符合REACH標(biāo)準(zhǔn)高效率和高功率密…電話咨詢:86-755-83294757
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