商品名稱：L6571AD013TR
數(shù)據(jù)手冊：
L6571AD013TR.pdf
品牌：ST
年份：12+
封裝：SOP8
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：35000 件
類型 | 描述 |
|---|---|
類別 | 集成電路（IC） PMIC - 柵極驅(qū)動器 |
制造商 | STMicroelectronics |
系列 | - |
包裝 | 卷帶（TR） 剪切帶（CT） |
零件狀態(tài) | 在售 |
驅(qū)動配置 | 半橋 |
通道類型 | 同步 |
驅(qū)動器數(shù) | 2 |
柵極類型 | IGBT，N 溝道 MOSFET |
電壓 - 供電 | 10V ~ 16.6V |
邏輯電壓 - VIL，VIH | - |
電流 - 峰值輸出（灌入，拉出） | 170mA，270mA |
輸入類型 | RC 輸入電路 |
高壓側電壓 - 最大值（自舉） | 600 V |
上升/下降時間（典型值） | - |
工作溫度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
安裝類型 | 表面貼裝型 |
封裝/外殼 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
供應商器件封裝 | 8-SOIC |
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT，其采用先進的專有溝槽柵場截止結構開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分，代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡，其中低損耗和短路功能至關重要。此外，它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…
STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進專有溝槽柵場截止結構的IGBT器件，屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實現(xiàn)傳導損耗和開關損耗之間的最佳折衷，以提高非常高頻轉(zhuǎn)換器的效率。其最大結溫為175C，具有無尾關斷特性，飽和壓降VCE(sat)在60A時為1.85V（典型值），并且參數(shù)分布緊…
STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件，其采用先進的專有溝柵場運算結構開發(fā)，旨在實現(xiàn)傳導和開關損耗之間的最佳折衷，以提高任何變頻器的效率。其技術規(guī)格和典型應用如下：技術規(guī)格IGBT 類型：溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V電流…
STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT，具有低損耗和短路功能，特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術規(guī)格：IGBT 類型：溝槽型場截止電壓 - 集…
STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT，因其低損耗和短路功能，STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術規(guī)格和應用場景如下：技術規(guī)格IGBT 類型：溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V電流 - 集電極 (I…
STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進的專有溝槽柵場截止結構，旨在優(yōu)化導通和開關損耗的平衡，從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術規(guī)格和典型應用如下：技術規(guī)格IGBT 類型：溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V電…電話咨詢：86-755-83294757
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