商品名稱：MT47H32M16NF-25E:H
數(shù)據(jù)手冊：
MT47H32M16NF-25E:H.pdf
品牌：Micron
年份：23+
封裝：84-FBGA
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
MT47H32M16NF-25E:H 采用雙數(shù)據(jù)速率架構(gòu)，以實現(xiàn)高速運行。雙數(shù)據(jù)速率架構(gòu)本質(zhì)上是一種 4n 預取架構(gòu)，其接口設(shè)計用于在 I/O 球上每個時鐘周期傳輸兩個數(shù)據(jù)字。
特點
VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V
JEDEC 標準 1.8V I/O（兼容 SSTL_18）
差分數(shù)據(jù)選通（DQS、DQS#）選項
4n 位預取架構(gòu)
x8 的重復輸出選通 (RDQS) 選項
DLL 使 DQ 和 DQS 轉(zhuǎn)換與 CK 一致
用于并行操作的 4 個內(nèi)部庫
可編程 CAS 延遲 (CL)
已發(fā)布 CAS 加法延遲 (AL)
寫入延遲 = 讀取延遲 - 1 tCK
可選突發(fā)長度：4 或 8
可調(diào)數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動強度
64 毫秒、8192 周期刷新
片上終止 (ODT)
工業(yè)溫度 (IT) 選項
符合 RoHS 規(guī)范
支持 JEDEC 時鐘抖動規(guī)范
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
SK hynix
FBGA-200
1000
Mem-SDRAM-Lpddr4, 16Gb(2Gb), 2Chx16, 3733Mbps, FBGA-200 (15.1X10.1)mm X 1mm Max H
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Micron是全球著名的半導體存儲器方案供應商。該公司的存儲器方案被應用于計算機及外設(shè)、消費電子、CAD/CAM、通信、辦公室自動化、網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)處理、圖形顯示等。公司1978年組建，總部位于美國愛德荷州，有員工約16,000人，擁有全球化的生產(chǎn)、銷售網(wǎng)點。目前主要生產(chǎn)DRAM、…
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MT54A16G8080A00AC-32:A 是高性能 HBM2E（High Bandwidth Memory 2nd Enhanced）內(nèi)存組件。
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MT61M256M32JE-12 AAT:A是一款 GDDR6 動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）。電話咨詢：86-755-83294757
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