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NTBLS4D0N15MC單N溝道MOSFET是一款具有低RDS(ON)的功率MOSFET，可最大限度地降低導(dǎo)通損耗。該MOSFET具有低總柵極電荷 (QG) 和電容，可最大限度地降低驅(qū)動器損耗。降低開關(guān)噪聲/EMI，具有187A最大連續(xù)漏極電流 (ID) 和150V漏極-源極電壓 (VDSS)。典型音樂包括電動工具、電池供電真空吸塵器、無人飛行器 (UAV)/無人機、材料搬運、電池管理系統(tǒng) (BMS)/存儲和家居自動化。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：150 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：19A（Ta），187A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：4.4毫歐 @ 80A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4，5V @ 584μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：90.4 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：7490 pF @ 75 V

功率耗散（最大值）：3，4W（Ta），316W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：8-HPSOF

封裝/外殼：8-PowerSFN

應(yīng)用

● 電動工具

● 電池供電真空吸塵器

● 無人飛行器 (UAV)/無人機

● 材料處理

● 電池管理系統(tǒng) (BMS)/存儲

● 家居自動化

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