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GAN3R2-100CBEAZ是一款通用型 100 V、3.2 mΩ 氮化鎵 (GaN) FET，采用 15 凸塊晶圓級芯片級封裝 (WLCSP)。它是一款常關型電子模式器件，具有卓越的性能。

產品屬性

FET 類型： N 通道  

技術 ：GaNFET（氮化鎵）  

漏源電壓（Vdss）： 100 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：60A  

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 3.2 毫歐 @ 25A，5V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 2.5V @ 9mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 12 nC @ 5 V  

Vgs（最大值）： +6V，-4V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 1000 pF @ 50 V  

功率耗散（最大值）： 394W  

工作溫度： -40°C ~ 150°C（TJ）  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應商器件封裝： 8-WLCSP（3.5x2.13）  

封裝/外殼： 8-XFBGA，WLCSP  

應用

高功率密度和高效率電源轉換

交流-直流轉換器（二級）

48 V 系統(tǒng)中的高頻直流-直流轉換器

快速電池充電、手機、筆記本電腦、平板電腦和 USB Type-C 充電器

數(shù)據(jù)通信和電信（AC-DC 和 DC-DC）轉換器

電機驅動器

激光雷達（非汽車）

D 類音頻放大器

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