商品名稱:NVMYS3D3N06CLTWG
數(shù)據(jù)手冊(cè):NVMYS3D3N06CLTWG.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:SOT-1023
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NVMYS3D3N06CLTWG是符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的單N通道MOSFET,占位面積小 (5mm x 6mm),非常適合用于緊湊型設(shè)計(jì)。這些器件具有低漏極-源極導(dǎo)通電阻,可最大限度地降低導(dǎo)通損耗,并具有低柵極電荷和電容,可最大限度地降低驅(qū)動(dòng)器損耗。這些汽車級(jí)功率MOSFET不含鉛,符合RoHS指令,具有較寬的工作溫度范圍(-55°C至+175°)。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):60 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):26A(Ta),133A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):3 毫歐 @ 50A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):40.7 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):2880 pF @ 25 V
功率耗散(最大值):3.9W(Ta),100W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:LFPAK4(5x6)
封裝/外殼:SOT-1023,4-LFPAK
應(yīng)用
● 汽車
● 不間斷電源
● 太陽能逆變器
● 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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