商品名稱:R5F56609DGFP
數(shù)據(jù)手冊(cè):R5F56609DGFP.pdf
品牌:Renesas
年份:23+
封裝:100-LQFP
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
R5F56609DGFP支持5V電源可降低系統(tǒng)成本,抗噪性能出色,無(wú)需外部電感來(lái)消除噪聲。內(nèi)核在120MHz下運(yùn)行,閃存訪問(wèn)零等待,使得計(jì)算過(guò)程穩(wěn)定,具備出色的實(shí)時(shí)性能。通用IO引腳的有效端口數(shù)量比以往兼容5V電源的RX210產(chǎn)品增加了約10%,能夠增加相同封裝中可連接的傳感器數(shù)量,從而有助于簡(jiǎn)化系統(tǒng)升級(jí)。
產(chǎn)品屬性
核心處理器:RXv3
內(nèi)核規(guī)格:32-位
速度:120MHz
連接能力:CANbus,EBI/EMI,I2C,LIN,SCI,SPI
外設(shè):DMA,LVD,POR,PWM,WDT
I/O 數(shù):89
程序存儲(chǔ)容量:1MB(1M x 8)
程序存儲(chǔ)器類型:閃存
EEPROM 容量:32K x 8
RAM 大?。?28K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd):2.7V ~ 5.5V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 24x12b; D/A 2x12b
振蕩器類型:外部,內(nèi)部
工作溫度:-40°C ~ 105°C(TA)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:100-LQFP
供應(yīng)商器件封裝:100-LFQFP(14x14)
應(yīng)用
● 在線不間斷電源 (UPS)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
BGA
3000
TriCore? TC17xx 微控制器 IC 32 位單核 240MHz 4MB(4M x 8) 閃存 PG-LFBGA-292-6
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瑞薩科技是世界十大半導(dǎo)體芯片供應(yīng)商之一,在很多諸如移動(dòng)通信、汽車電子和PC/AV 等領(lǐng)域獲得了全球最高市場(chǎng)份額。瑞薩科技在2003年4月1日正式成立,以領(lǐng)先的科技實(shí)現(xiàn)人類的夢(mèng)想。結(jié)合了日立與三菱電機(jī)在半導(dǎo)體領(lǐng)域上的豐富經(jīng)驗(yàn)和專業(yè)知識(shí),配合全球二萬(wàn)七千名員工的無(wú)限創(chuàng)…
TP65H100G4LSGB
TP65H100G4LSGB是 Renesas 推出的650V SuperGaN GaN FET ,采用 Gen IV 技術(shù)平臺(tái),結(jié)合高電壓 GaN HEMT 與低電壓 硅MOSFET ,具備優(yōu)異可靠性及性能。產(chǎn)品屬性FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18.9A(Tc)驅(qū)動(dòng)…TP65H100G4PS
TP65H100G4PS是 Renesas 推出的650V GaN FET (氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管),采用 Gen IV SuperGaN平臺(tái)技術(shù),具有高可靠性、低損耗特性。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18.9A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On…TP65H035G4YS
TP65H035G4YS 是 Renesas 推出的SuperGaN FET器件,采用 TO-247-4L封裝 ,導(dǎo)通電阻為35mΩ,具備開(kāi)爾文源極端子設(shè)計(jì)。TP65H035G4YS器件結(jié)合了最先進(jìn)的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術(shù),可提供卓越的可靠性和性能。TP65H035G4YS 具有以下主要特性:第四代技術(shù)符合 JED…TP65H035G4WSQA
TP65H035G4WSQA 650V 35mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用Renesas的 GenIV 平臺(tái)構(gòu)建的常閉器件。使用專有技術(shù),從而降低了內(nèi)部封裝電感并簡(jiǎn)化了組裝過(guò)程。它將最先進(jìn)的高壓 GaN HEMT 與低壓硅 MOSFET 相結(jié)合,以提供卓越的可靠性和性能。此外,TP65H035G4WSQA還通過(guò)了 175C …TP65H070G4RS
TP65H070G4RS 是 Renesas 推出的第四代 SuperGaN 技術(shù)FET器件,采用 TOLT封裝 (頂部散熱型表面貼裝),適用于需要高效熱管理和高可靠性的場(chǎng)景。其主要規(guī)格如下:FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):29A(Tc)驅(qū)…TP65H070G4PS
TP65H070G4PS是一款650V、70mΩ的氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET),采用TO-220封裝,由(Renesas)生產(chǎn)。該器件具有低導(dǎo)通電阻和優(yōu)異開(kāi)關(guān)性能,適用于高效率電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。核心參數(shù)FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極…電話咨詢:86-755-83294757
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