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規(guī)格型號(hào)
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參數(shù)描述
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操作
產(chǎn)品說(shuō)明:用于電信應(yīng)用的 OptiMOS? 5 功率 MOSFET 80V
封裝:TDSON-8產(chǎn)品說(shuō)明:650 V、50 A IGBT,帶反并聯(lián)二極管,采用 TO-247 封裝
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說(shuō)明:650 V G5 GaN HEMT – 氮化鎵晶體管
封裝:PG-LSON-8產(chǎn)品說(shuō)明:GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 ?100 V G3,2.4 m?
封裝:PG-TSON-6產(chǎn)品說(shuō)明:GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 100 V G3,2.4 m?
封裝:PG-VSON-6產(chǎn)品說(shuō)明:GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 86 A ?80 V G3,1.8 m?
封裝:PG-TSON-6產(chǎn)品說(shuō)明:GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 99 A ?60 V G3,1.3 m?
封裝:PG-TSON-6產(chǎn)品說(shuō)明:GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 43 A ?200 V G3,6.7 m?
封裝:PG-TSON-6產(chǎn)品說(shuō)明:GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 71 A ?120 V G3,2.7m?
封裝:PG-TSON-6產(chǎn)品說(shuō)明:GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 100 V G3,PQFN 3x3,8 mΩ
封裝:PG-TSON-4產(chǎn)品說(shuō)明:GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 100 V G3,PQFN 3x3,8 mΩ
封裝:PG-VSON-4產(chǎn)品說(shuō)明:GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 100 V G3,PQFN 3x3,5 mΩ
封裝:PG-TSON-4產(chǎn)品說(shuō)明:GaN HEMT – 氮化鎵晶體管 雙向開關(guān) 40 V G3,6 mΩ
封裝:WLCSP-16產(chǎn)品說(shuō)明:1200V 300A 雙 IGBT 模塊
封裝:模塊產(chǎn)品說(shuō)明:用于 12V BLDC 電機(jī)的 MOTIX? TLE9189柵極驅(qū)動(dòng)器 IC
封裝:TQFP-48產(chǎn)品說(shuō)明:用于 12V BLDC 電機(jī)的 MOTIX? TLE9189柵極驅(qū)動(dòng)器 IC
封裝:VQFN-48電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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